20N60C3 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 650V 20.7A

El 20N60C3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N Tensión de drenaje-fuente VDSS 600 V, Voltaje Puerta-Fuente VGSS ± 30 V y Disipación de potencia PD 370 W

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Descripción

20N60C3 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 650V 20.7A

El 20N60C3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N que utiliza la tecnología avanzada para proporcionar a los clientes banda plana y tecnología DMOS. Esta tecnología está especializada en permitir una mínima resistencia en el estado y un rendimiento de conmutación superior. También puede soportar pulsos de alta energía en el modo de avalancha y conmutación.

El 20N60C3 se aplica universalmente en control de motores, UPS, choppers DC y fuentes de alimentación en modo de resonancia y modo de conmutación

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Tensión de drenaje-fuente VDSS 600 V

Voltaje Puerta-Fuente VGSS ± 30 V

Drain Current Continuous ID 20 A

Disipación de potencia PD 370 W

Referencia de producto: 20N60C3 TO220

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.

Detalles del producto

Referencia 20N60C3 TO220

Ficha técnica