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TRANSISTOR 8205A MOSFET DUAL N FS8205A 20V 5A SOT-23-6 SOT23

Transistor MOSFET dual de canal N y modo de enriquecimiento, con voltaje máximo de 20 V y corriente continua de hasta 5 A. Presenta baja resistencia de conducción y encapsulado compacto SOT-23-6 para montaje superficial.

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Descripción

TRANSISTOR 8205A MOSFET DUAL N FS8205A 20V 5A SOT-23-6 SOT23

El 8205A, también identificado mediante referencias como FS8205A o CEG8205A, es un transistor MOSFET dual de canal N y modo de enriquecimiento, integrado en un encapsulado SOT-23-6 para montaje superficial.

Se caracteriza por su baja resistencia entre drenador y fuente, alcanzando un máximo de 25 mohm con un voltaje de compuerta de 4.5 V. Esta característica permite reducir las pérdidas de potencia y mejorar la eficiencia en etapas de conmutación.

Soporta un voltaje máximo drenador-fuente de 20 V, una corriente continua de drenador de hasta 5 A y pulsos de corriente de hasta 25 A, bajo las condiciones indicadas por el fabricante. Su baja carga de compuerta y sus tiempos rápidos de conmutación lo hacen adecuado para rectificación síncrona, administración de energía, fuentes conmutadas y circuitos electrónicos compactos.

El dispositivo incorpora dos MOSFET de canal N dentro de un solo encapsulado, lo que permite reducir el espacio ocupado en la placa de circuito impreso.

CARACTERISTICAS:

Referencia principal: 8205A.

Referencias relacionadas: FS8205A y CEG8205A.

Tipo: MOSFET dual.

Configuración: doble canal N.

Modo de operación: enriquecimiento.

Voltaje drenador-fuente máximo: 20 V.

Corriente continua de drenador: hasta 5 A.

Corriente pulsada de drenador: hasta 25 A.

Baja resistencia de conducción.

RDS(ON) máximo de 25 mohm con VGS de 4.5 V.

RDS(ON) máximo de 34 mohm con VGS de 2.5 V.

Baja carga de compuerta.

Conmutación rápida.

Diseñado para rectificación síncrona.

Encapsulado para montaje superficial.

Encapsulado SOT-23-6.

Material del encapsulado: plástico moldeado.

Clasificación de inflamabilidad: UL 94V-0.

Rango de temperatura de operación de la unión: -55 a 150 °C.

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Información general

Referencia: 8205A.

Referencias equivalentes o relacionadas: FS8205A y CEG8205A.

Tipo de componente: transistor MOSFET dual.

Polaridad: canal N.

Modo: enriquecimiento.

Número de MOSFET internos: 2.

Encapsulado: SOT-23-6.

Tipo de montaje: superficial SMD.

Valores máximos absolutos

Voltaje drenador-fuente, VDS: 20 V.

Voltaje compuerta-fuente, VGS: ±12 V.

Corriente continua de drenador a 25 °C, ID: 5 A.

Corriente pulsada de drenador, IDM: 25 A.

Disipación máxima de potencia, PD: 1.25 W.

Resistencia térmica unión-ambiente, RθJA: 100 °C/W.

Temperatura de unión: -55 a 150 °C.

Temperatura de almacenamiento: -55 a 150 °C.

Características eléctricas estáticas

Voltaje de ruptura drenador-fuente, V(BR)DSS: mínimo 20 V.

Condición de V(BR)DSS: VGS = 0 V e ID = 250 uA.

Corriente de fuga con compuerta en cero, IDSS: máximo 1 uA.

Condición de IDSS: VDS = 20 V y VGS = 0 V.

Corriente de fuga de compuerta, IGSS: máximo ±100 nA.

Condición de IGSS: VDS = 0 V y VGS = ±12 V.

Voltaje umbral de compuerta, VGS(th): mínimo 0.4 V, típico 0.62 V y máximo 1.0 V.

Condición de VGS(th): VDS = VGS e ID = 250 uA.

Transconductancia directa, gFS: típica 13 S.

Condición de gFS: VDS = 5 V e ID = 5 A.

Resistencia de conducción

RDS(ON) con VGS = 4.5 V e ID = 4 A: típica 18.5 mohm y máxima 25 mohm.

RDS(ON) con VGS = 2.5 V e ID = 3 A: típica 25.5 mohm y máxima 34 mohm.

Diodo interno drenador-fuente

Voltaje directo del diodo, VSD: típico 0.42 V y máximo 1.28 V.

Condición de medición: IS = 1.7 A y VGS = 0 V.

Capacitancias

Medidas con VDS = 8 V, VGS = 0 V y frecuencia de 1 MHz:

Capacitancia de entrada, Ciss: 800 pF.

Capacitancia de salida, Coss: 155 pF.

Capacitancia de transferencia inversa, Crss: 125 pF.

Carga de compuerta

Medida con VGS = 4 V, VDS = 10 V e ID = 4 A:

Carga total de compuerta, Qg: 11 nC.

Carga compuerta-fuente, Qgs: 2.2 nC.

Carga compuerta-drenador, Qgd: 2.5 nC.

Tiempos de conmutación

Medidos con VDD = 10 V, ID = 1 A, VGEN = 4 V, RGEN = 10 ohm y RL = 10 ohm:

Tiempo de retardo de encendido, td(on): 18.3 ns.

Tiempo de subida, tr: 4.8 ns.

Tiempo de retardo de apagado, td(off): 43.5 ns.

Tiempo de caída, tf: 20 ns.

Información mecánica

Encapsulado: SOT-23-6.

Material: plástico moldeado.

Clasificación de inflamabilidad: UL 94V-0.

Número de terminales: 6.

Montaje: SMD.

Referencia de producto: 8205A SOT23

Detalles del producto
8205A_SOT23
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