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M3056M TRANSISTOR MOSFET CANAL N 30V 120A SMD QFN-8 -20
El QM3056M6 es el MOSFET de canal N de trinchera de más alto rendimiento con una densidad de celda extremadamente alta, que proporciona un excelente RdsON y carga de compuerta para la mayoría de las aplicaciones de convertidores reductores síncronos.
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Descripción
M3056M TRANSISTOR MOSFET CANAL N 30V 120A SMD QFN-8
El QM3056M6 es el MOSFET de canal N de trinchera de más alto rendimiento con una densidad de celda extremadamente alta, que proporciona un excelente RdsON y carga de compuerta para la mayoría de las aplicaciones de convertidores reductores síncronos.
ESPECIFICACIONES TECNICAS:
Tensión de fuente de drenaje : 30 V
Tensión de fuente de puerta: +/-20 V
Corriente de drenaje continua: 120 A
Corriente de drenaje pulsada: 180 A
Corriente de avalancha: 52 A
Disipación de potencia total: 80 W
Referencia de producto: M3056M
ENLACES DE INTERES
Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.
Detalles del producto
M3056M
Ficha técnica
- TRANSISTOR
- MOSFET N SMD
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