IRF3710 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 100V/57A

Transistor mosfet IRF3710 Tipo TO-220 de 100V es un solo canal N que utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr resistencia extremadamente baja por unidad, este beneficio, en combinación con la velocidad de conmutación rápido y el diseño del dispositivo robusto que HEXFET MOSFET de potencia son bien conocidos por ofrecer al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para uso en una amplia variedad de aplicaciones..

CARACTERISTICAS:

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Continuous Drain Current, VGS @ 10V: 57A máximo

Drain-to-Source Breakdown Voltage: 100V máximo

Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C a 175°C

Encapsulado: TO220AB

Polaridad: Canal N

Intensidad drenador continua Id: 57 A

Tensión drenaje-fuente Vds: 100 V

Resistencia de activación Rds(on): 0.023 ohm

Tensión Vgs de medición Rds(on) : 10 V

Tensión umbral Vgs: 4 V

Disipación de potencia Pd: 200 W

Temperatura de Trabajo Máx. 175°C

Temperatura de Trabajo Mín. -55 °C

Encapsulado: TO-220

3 pines

Referencia de producto: IRF3710

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.