TRANSISTOR MOSFET SI2309 SMD CANAL P 60V 2A AS9SHB SOT-23

El transistor MOSFET SI2309 A9SHB canal P es la solución ideal para aplicaciones de conmutación de potencia en proyectos compactos y eficientes. Con un voltaje drenador-fuente de hasta 60V y corriente de drenaje de 2.5A, este componente ofrece una excelente respuesta de conmutación, baja resistencia en estado ON y alta confiabilidad. Su encapsulado SOT-23 de montaje superficial lo hace perfecto para diseños de alta densidad como fuentes DC-DC, control de cargas, protección de baterías y dispositivos portátiles.

Gracias a su baja carga de compuerta y rápida conmutación, el SI2309 es ampliamente utilizado en sistemas embebidos, automatización, robótica, y proyectos DIY donde se requiere un MOSFET compacto, eficiente y confiable. Compatible con múltiples modelos equivalentes como el AO3401, representa una alternativa versátil y rentable en electrónica de potencia.

CARACTERISTICAS:

MOSFET Canal P de alta eficiencia

Voltaje drenaje-fuente: hasta 60V

Corriente continua de hasta 2.5A

Baja resistencia Rds(on) para menor pérdida de potencia

Encapsulado SOT-23 ideal para montaje superficial

Temperatura de operación extendida (-55 °C a 150 °C)

Ideal para fuentes DC-DC, carga de baterías y control de potencia

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Modelo: SI2309DS / A9SHB

Tipo: MOSFET Canal P

Encapsulado: SOT-23 (Montaje superficial)

Voltaje Drenaje-Fuente (Vds): -60 V

Voltaje compuerta-fuente (Vgs): ±12 V

Corriente de drenaje continua (Id): -2.5 A

Resistencia en estado ON (Rds(on)): 85 mΩ @ Vgs = -4.5 V

Disipación de potencia (Pd): 1.25 W

Temperatura de operación: -55 °C a +150 °C

Dimensiones: 2.9 mm x 1.6 mm x 1.1 mm

Peso aproximado: 0.02 g

Fuentes conmutadas DC-DC

Protección de baterías

Conmutación de carga

Sistemas embebidos y portátiles

Automatización y control de motores

Proyectos DIY y electrónicos compactos

Referencia de producto: SI2309 A9SHB

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.