dashboard_customize Packs descuento
Te quedan 450.000$ para el envío gratis
TRANSISTOR IRLR3110Z MOSFET CANAL N 100V 63A SMD TO-252
El IRLR3110Z MOSFET N-Canal es un transistor de potencia de alta eficiencia, diseñado para aplicaciones donde se requiere gran capacidad de corriente y baja resistencia de conducción. Con un voltaje de drenaje a fuente de 100V y una capacidad de hasta 63A, este componente ofrece un rendimiento confiable y estable en circuitos de potencia exigentes.
Gracias a su baja resistencia Rds(ON) de solo 14mΩ, minimiza las pérdidas de energía y mejora la eficiencia de sistemas como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores DC-DC, controladores de motor, sistemas de carga y aplicaciones industriales.
Su encapsulado SMD D-PAK permite montaje en superficie, optimizando espacio en PCB y favoreciendo la disipación de calor con una potencia máxima de 140W. Es la solución ideal para diseñadores, ingenieros y técnicos que buscan confiabilidad y durabilidad en sus proyectos electrónicos.
CARACTERISTICAS:
MOSFET de canal N de alto rendimiento
Soporta hasta 100V y 63A
Baja resistencia Rds(ON): 14mΩ @ 38A, 10V
Encapsulado SMD tipo D-PAK
Potencia máxima: 140W
Carga de compuerta: 34nC
Fácil integración en diseños electrónicos
Alta eficiencia energética y confiabilidad
ESPECIFICACIONES TECNICAS:
Tipo: MOSFET Canal N
Modelo: IRLR3110Z
Tensión drenaje-fuente (Vdss): 100V
Corriente de drenaje (Id): 63A (máx.), 42A @ Tc=25°C
Resistencia Rds(ON): 14mΩ @ 38A, 10V
Voltaje compuerta-fuente (Vgs): ±16V
Tensión de umbral Vgs(th): 2.5V @ 100µA
Carga de compuerta total (Qg): 34nC
Disipación de potencia (Pd): 140W
Encapsulado: D-PAK (SMD)
Aplicaciones: fuentes conmutadas, control de motores, convertidores DC-DC, sistemas de carga, electrónica industrial
Referencia de producto: IRLR3110
