IRF5210 TRANSISTOR MOSFET CANAL P -100V/-40A

Mosfet HEXFET de Potencia, canal P, VDSS = -100V, RDS(on) = 60mO, ID = -40A.

Empaque TO-220.

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Continuous Drain Current, VGS @ 10V: -40A máximo

Drain-to-Source Breakdown Voltage: -100V máximo

Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C a 175°C

Encapsulado: TO220

Referencia de producto: IRF5210

ENLACES DE INTERES

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