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IRFB4110 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 100V 180A TO220
IRFB4110 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 100V 180A TO220
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Descripción
IRFB4110 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 100V 180A TO220
MOSFET HEXFET DE POTENCIA, CANAL N, VDSS = 100V,
RDS(ON) = 3.7MO, ID = 180A.
EMPAQUE TO-220.
Aplicaciones
-Rectificación sincrónica de alta eficiencia en SMPS
-Fuente de poder ininterrumpible
-Conmutación de potencia de alta velocidad
-Circuitos conmutados y de alta frecuencia GD
Beneficios
- Compuerta mejorada, avalancha y resistencia dv / dt dinámica
- Capacidades y avalanchas totalmente caracterizadas SOA
- Capacidad de dV / dt y dI / dt de diodo corporal mejorada
- Sin plomo
- Cumple con RoHS, libre de halógenos
Referencia de producto: MOSFET IRFB4110
ESPECIFICACIONES TECNICAS:
Tipo: canal n
Voltaje de ruptura de drenaje a fuente: 100 V
Voltaje de puerta a fuente, máx .: ± 20 V
Resistencia en estado de drenaje-fuente, máx .: 4.500 ohmios
Corriente de drenaje continua: 180 A
Carga total de la puerta: 150 nC
Disipación de potencia: 370 W
Paquete: TO-220AB
Detalles del producto
IRFB4110
Ficha técnica
- TRANSISTOR
- MOSFET N
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