MOSFET IRF7309 SMD DUAL CANAL N Y P SOP-8

El IRF7309 es un transistor MOSFET de doble canal (N y P) en encapsulado SMD SOP-8, diseñado con tecnología HEXFET de quinta generación para ofrecer alta eficiencia y bajo consumo. Gracias a su baja resistencia de encendido (RDS(on)), rápida conmutación y diseño robusto, es ideal para una amplia variedad de aplicaciones electrónicas, como fuentes conmutadas, drivers de motores, convertidores DC-DC y circuitos de control.

Su formato compacto permite ahorrar espacio en PCB sin comprometer el rendimiento térmico ni eléctrico, siendo perfecto para diseños de alta densidad y bajo perfil. Compatible con procesos de soldadura por infrarrojo, ola o fase de vapor.

CARACTERISTICAS:

Tecnología HEXFET de quinta generación

MOSFET de doble canal: N y P

Encapsulado SMD SOP-8 de bajo perfil

Alta eficiencia energética

Conmutación rápida y estable

Baja resistencia RDS(on)

Ideal para control de potencia en espacios reducidos

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Tipo: MOSFET doble canal (N y P)

Encapsulado: SOP-8 (SMD)

Voltaje Drain-Source (Vds): +30V (N) / -30V (P)

Voltaje Gate-Source (Vgs): ±20V

Corriente de drenaje (Id): 4.0A (N) / -3.0A (P)

Potencia disipada (Ptot): 1.4W

RDS(on) máx. (@10V): 50 mΩ (N) / 100 mΩ (P)

RDS(on) máx. (@4.5V): 80 mΩ (N) / 160 mΩ (P)

Carga de compuerta Qg (typ @4.5V): 16.7nC

Temperatura de operación: hasta 150°C

Resistencia térmica RthJA: 90 K/W

Nivel de sensibilidad a humedad (MSL): 1

Dimensiones: 0.39 x 0.39 x 0.39 pulgadas

Montaje: Superficial (SMD)

Referencia de producto: IRF3709

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.