MOSFET IRF7307 DUAL CANAL N+P SMD SOP-8 IRF7307TRPB

El IRF7307TRPBF es un transistor MOSFET de doble canal (N y P) de montaje superficial con encapsulado SOP-8. Diseñado con tecnología HEXFET de quinta generación, este componente ofrece una resistencia ultra baja RDS(on), alta velocidad de conmutación y excelente eficiencia energética.

Este MOSFET dual es ideal para aplicaciones en fuentes de alimentación, controladores de motores, convertidores DC-DC, drivers y circuitos integrados en espacios reducidos. Su estructura térmica mejorada y diseño robusto permiten un rendimiento confiable incluso bajo condiciones exigentes.

Compatible con técnicas de soldadura por vapor, infrarrojo o soldadura por ola, es una excelente elección para ensamblaje automatizado. Su integración en tape & reel facilita la producción en serie.

CARACTERISTICAS:

MOSFET doble canal: N y P

Montaje superficial (SMD)

Encapsulado compacto SOP-8

Baja resistencia RDS(on)

Conmutación rápida

Ideal para aplicaciones de alta eficiencia

Compatible con tape & reel

Tecnología HEXFET de quinta generación

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Modelo: IRF7307TRPBF

Tipo: MOSFET canal N + canal P

Voltaje Drain-Source (Vds): +20V (N), -20V (P)

Voltaje Gate-Source (Vgs): ±12V

Corriente de drenaje continua (Id): 5.2A (canal N), -4.3A (canal P)

Potencia de disipación total: 2.0W

RDS(on): extremadamente baja (valor típico según datasheet)

Tipo de montaje: SMD

Encapsulado: SOP-8

Dimensiones: 0.39 x 0.39 x 0.39 pulgadas

Peso aproximado: 0.04 onzas (≈1.13g)

Referencia de producto: IRF7307

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.