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IRFP450 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 500V 14A

Transistor MOSFET de 500V y 14A. Encapsulado TO-247. Transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónica. Aplicaciones: Administración de Potencia

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Descripción

IRFP450 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 500V 14A

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFP450APBF es un MOSFET de potencia de N-canal de 500V con carga de puerta baja Qg da como resultado un requerimiento de unidad simple. Funciona a alta frecuencia con una aplicación de conmutación fuerte. Apto para SMPS y conmutación de energía de alta velocidad.

 

CARACTERISTICAS:

Puerta mejorada, avalancha y robustez dv / dt dinámica

Capacidad y voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados

Baja RDS (ON)

Aplicaciones: Administración de Potencia

 

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Polaridad: Canal N

Intensidad drenador continua Id: 14 A

Tensión drenaje-fuente Vds: 500 V

Resistencia de activación Rds(on): 400 mohm

Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V

Tensión umbral Vgs: 4 V

Disipación de potencia Pd: 190 W

Temperatura de trabajo máxima: 150°C

Encapsulado TO-247

3 pines

Referencia de producto: MOSFET IRFP450

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.

Detalles del producto
IRFP450

Ficha técnica

TRANSISTOR
MOSFET N
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