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HY5110 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 100V 316A HY5110W PARA INVERSOR
Transistor MOSFET canal N de potencia 100V 316A para aplicaciones de swicheo de alta potencia. Utilizado en gran medida en inversores, si se ensamblan varios correctamente se pueden obtener inversores con potencias superiores de 10kW
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Descripción
HY5110 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 100V 316A HY5110W
Transistor MOSFET canal N de potencia 100V 316A para aplicaciones de swicheo de alta potencia. Utilizado en gran medida en inversores, si se ensamblan varios correctamente se pueden obtener inversores con potencias superiores de 10kW
ESPECIFICACIONES TECNICAS:
Mosfet de Potencia
Canal N
VDSS = 100V
RDS(on) = 2,1mOhm
ID = 316A.
Empaque TO-247.
Referencia de producto: HY5110
ENLACES DE INTERES
Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.
Detalles del producto
HY5110
Ficha técnica
- TRANSISTOR
- MOSFET N
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