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HY4008W HY4008 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 80V 200A

Transistor MOSFET canal N de potencia 80V 200A para aplicaciones de swicheo de alta potencia. Utilizado en gran medida en inversores, si se ensamblan varios correctamente se pueden obtener inversores con potencias superiores de 10kW

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Descripción

HY4008W HY4008 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 80V 200A

Transistor MOSFET canal N de potencia para aplicaciones de swicheo de alta potencia. Utilizado en gran medida en inversores, si se ensamblan varios correctamente se pueden obtener inversores con potencias superiores de 10kW

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Mosfet de Potencia

Canal N

VDSS = 80V

RDS(on) = 2,9mO

ID = 200A.

Empaque TO-247.

Referencia de producto: HY4008W MOSFET

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.

Detalles del producto
HY4008

Ficha técnica

TRANSISTOR
MOSFET N
Nuevo