• Nuevo
  • CS65N25
  • CS65N25
CS65N25
search
CS65N25
search

TRANSISTOR MOSFET POTENCIA CS65N25 TO-247 250V 65A CANAL N

Transistor MOSFET N-canal CS65N25 en encapsulado TO-247, ideal para conmutacion de potencia. Soporta hasta 250V y 65A, con baja resistencia RDS(on) y alto rendimiento en aplicaciones industriales y electronica de potencia.

dashboard_customize Packs descuento

5 unidades 4% descuento
10 unidades 8% descuento
25 unidades 20% descuento
$14.990 
Disponible para entrega inmediata Próximas 24horas hábiles
15 Artículos

Te quedan 450.000$ para el envío gratis

Descripción

TRANSISTOR MOSFET POTENCIA CS65N25 TO-247 250V 65A CANAL N

El CS65N25 es un transistor MOSFET de canal N de alta eficiencia, diseñado para aplicaciones de potencia exigentes donde se requiere alta confiabilidad, baja perdida de energia y excelente capacidad de conmutacion.

Su encapsulado TO-247 permite una excelente disipacion termica y facilita la instalacion en sistemas de potencia, fuentes conmutadas, inversores, drivers y proyectos industriales o de electronica avanzada.

Gracias a su baja resistencia en conduccion y su tecnologia de conmutacion rapida, este MOSFET ofrece un rendimiento estable incluso bajo cargas elevadas, garantizando eficiencia energetica y durabilidad en el tiempo.

Es ideal tanto para proyectos DIY avanzados como para aplicaciones industriales donde se requiere control eficiente de energia, motores, fuentes de alimentacion y sistemas de potencia.

CARACTERISTICAS:

Tecnologia MOSFET N-canal de alta potencia

Encapsulado TO-247 para mejor disipacion termica

Alta velocidad de conmutacion

Baja resistencia en estado ON

Alta eficiencia energetica

Excelente estabilidad y confiabilidad

Adecuado para aplicaciones industriales y DIY

Alta capacidad de manejo de corriente

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Modelo: CS65N25

Tipo: MOSFET N-Channel Enhancement Mode

Voltaje Drain-Source (Vdss): 250 V

Corriente de drenaje (Id): 65 A (Tc=25C)

Potencia de disipacion: 420 W (Tc=25C)

RDS(on) tipico: 42 mOhm

Voltaje Gate-Source (Vgs): +/- 30 V

Energia de avalancha: 2000 mJ

Carga de compuerta tipica: 90.1 nC

Capacitancia de transferencia inversa: 44 pF

Encapsulado: TO-247

Configuracion de pines: G - D - S

Referencia de producto: CS65N25

Detalles del producto
CS65N25
Nuevo