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2N7000 TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-92

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 200mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V Resistencia en Estado Conductor Rds(on): 1.2ohm Tensión Vgs de Prueba Rds(on): 10V Tensión Vgs: 2.1V Encapsulado del Transistor: TO-92

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Descripción

2N7000 TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-92

El 2N7000 es un transistor de efecto de campo de modo mejorado con canal N, fabricado con la tecnología DMOS propia de alta densidad de celdas de Fairchild. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado de conducción al tiempo que se proporciona un rendimiento duradero, fiable y de conmutación rápida. Se puede utilizar en la mayoría de aplicaciones que requieren hasta 400mA DC y puede proporcionar una corriente pulsada de hasta 2A.

 

También es apto para aplicaciones de baja tensión y baja corriente como control de servomotores pequeños, controladores de puerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.

 

CARACTERISTICAS:

Interruptor de pequeña señal

controlado por tensión

Fiable y resistente

Aplicaciones

Audio, Procesado de Señal

 

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Polaridad de Transistor: Canal N

Corriente de Drenaje Continua Id: 200mA

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Resistencia en Estado Conductor Rds(on): 1.2ohm

Tensión Vgs de Prueba Rds(on): 10V

Tensión Umbral Vgs: 2.1V

Disipación de Potencia Pd: 400mW

Encapsulado del Transistor: TO-92

Número de Pines: 3Pines

Temperatura de Funcionamiento Máx.: 150°C

Referencia de producto: 2N7000

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.

Detalles del producto
MOSFET 2N7000

Ficha técnica

TRANSISTOR
MOSFET N
Nuevo