Transistor MOSFET canal P de montaje superficial. Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 20. Corriente de drenaje continua máxima (A) 4. Encapsulado SOT-23. Marking AFCP

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 20

Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±8

Corriente de drenaje continua máxima (A) 4

Resistencia máxima de la fuente de drenaje (mOhm) 41@4.5V

Carga típica de puerta @ Vgs (nC) 9.3@4.5V

Capacitancia de entrada típica @ Vds (pF) 751@10V

Disipación de potencia máxima (mW) 1500

Tiempo de caída típico (ns) 29

Tiempo de subida típico (ns) 9

Tiempo de retardo de apagado típico (ns) 19

Tiempo de retardo de encendido típico (ns) 13

Temperatura mínima de funcionamiento (°C) -55

Temperatura máxima de funcionamiento (°C) 150

Paquete de proveedor SOT-23

Número de pines 3

Montaje superficial

Marking AFCP

Referencia de producto: AO3415

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.