AO3407 TRANSISTOR MOSFET CANAL P SMD 30V 5.3A A79T

Transistor MOSFET canal P de montaje superficial. Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 30. Corriente de drenaje continua máxima (A) 5.3. Encapsulado SOT-23. Marking A79T

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Descripción

AO3407 TRANSISTOR MOSFET CANAL P SMD 30V 5.3A A79T

Transistor MOSFET canal P de montaje superficial. Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 30. Corriente de drenaje continua máxima (A) 5.3. Encapsulado SOT-23. Marking A79T

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Voltaje de fuente de drenaje (VDS) -30

Voltaje de fuente de puerta (VGS) +/- 20 V

Corriente de drenaje continua (ID) 5,3 A

Corriente de drenaje pulsada (Idm) -20A

Disipación de potencia máxima (PD): TA = 25 °C 1,4 W ~ TA = 75 °C 1 W

Intervalo de temperatura de almacenamiento y unión operativa TJ, Tstg -55 a 150 °C

Resistencia térmica de la unión al ambiente (montado en PCB) RqJA 125 °C/W

Referencia de producto: AO3407 A79T

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.

Detalles del producto