El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFP250NPBF de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N simple de 200V en encapsulado TO-247AC. Este MOSFET cuenta con una resistencia en estado de conducción extremadamente baja por área de silicio, valor dinámico dv/dt, facilidad de paralelismo, resistente, conmutación rápida, requisitos sencillos de conducción y calificación total para avalancha. Como resultado, estos MOSFET de potencia son conocidos por su eficiencia y confiabilidad extremas que los hacen aptos para su uso en una gran variedad de aplicaciones.

Voltaje drenaje-fuente (Vds) de 200V

Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V

Resistencia en estado de encendido Rds(on) de 75mohm con Vgs de 10V

Disipación de potencia Pd de 214W a 25 °C

Corriente continua de drenaje Id de 30A en Vgs 10V y 25 ° C

La temperatura de funcionamiento es desde -55°C hasta 175°C

Aplicaciones: Administración de Potencia, Industrial, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo

CARACTERISTICAS:

Polaridad: Canal N

Tensión drenaje-fuente Vds: 200 V

Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V

Tensión umbral Vgs: 4 V

Intensidad drenador continua Id: 30 A

Resistencia de activación Rds(on): 75 mohm

Disipación de potencia Pd: 214 W

Temperatura de funcionamiento máxima: 175 ° C

Encapsulado TO-247

3 pines

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Referencia de producto: IRFP250

ENLACES DE INTERES

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