• RD15HVF1
  • RD15HVF1
RD15HVF1
search
RD15HVF1
search

RD15HVF1 TRANSISTOR PARA RF

RD15HVF1 es un transistor tipo MOS FET específicamente diseñado para aplicaciones de amplificadores de alta potencia VHF / UHF. Alta potencia y alta ganancia: Pout> 15 W, Gp> 14 dB @ Vds = 12.5 V, f = 175 MHz Alta Eficiencia: 60% (típico) en la banda VHF

dashboard_customize Packs descuento

5 unidades 2% descuento
10 unidades 5% descuento
25 unidades 12% descuento
$36.990
Disponible para entrega inmediata Próximas 24horas hábiles
12 Artículos

Descripción

RD15HVF1 TRANSISTOR PARA RF

RD15HVF1 es un transistor tipo MOS FET específicamente diseñado para aplicaciones de amplificadores de alta potencia VHF / UHF. Alta potencia y alta ganancia: Pout> 15 W, Gp> 14 dB @ Vds = 12.5 V, f = 175 MHz Alta Eficiencia: 60% (típico) en la banda VHF Diodo de protección integrado de la puerta. Para etapa de salida de amplificadores de alta potencia en equipos de radio móvil de banda VHF / UHF.

CARACTERISTICAS:

Vdss Drene a la fuente de voltaje Vgs = 0V 30 V

Vgss Gate a voltaje de fuente Vds = 0V -5 a +10 V

Disipación del canal Pch Tc = 25 ° C 48 W

Potencia de entrada de pin Zg = Zl = 50 1.5 W

Ids Drain current - 4 A

Tch Temperatura del canal - 150 ° C

Temperatura de almacenamiento Tstg - -40 a +150 ° C

Rth j-c Unión de resistencia térmica a carcasa 2.6 ° C / W

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Referencia de producto: RD15HVF1

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.

Detalles del producto
RD15HVF1

Ficha técnica

TRANSISTOR
TRANSISTOR RF
Nuevo