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50JR22 TRANSISTOR IGBT 600V 50A

Transistor IGBT de alta potencia. Dedicado a aplicaciones de conmutación de inversores de corriente

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Descripción

50JR22 TRANSISTOR IGBT 600V 50A

Transistor IGBT de alta potencia. Dedicado a aplicaciones de conmutación de inversores de corriente

 

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Voltaje colector-emisor: 600V

Voltaje puerta-emisor: 25V

Corriente de colector (DC): 50A

Corriente de colector (1 ms): 100A

Corriente directa de diodo (CC): 40A

Corriente directa de diodo (100 µs): 100A

Disipación de potencia del colector: 230W

Temperatura de la Unión: 175°C

Referencia de producto: 50JR22

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.

Detalles del producto
50JR22

Ficha técnica

TRANSISTOR
IGBT
Nuevo