TRANSISTOR IGBT 20A 400V NGD8201NG SMD SISTEMA ENCENDIDO

Este transistor bipolar de puerta aislada de nivel lógico (IGBT) presenta un circuito monolítico que integra ESD y protección contra sobrevoltaje para uso en aplicaciones de controladores de bobina inductiva.

Los usos principales incluyen encendido, inyección directa de combustible o donde se requiera conmutación de alto voltaje y alta corriente

CARACTERISTICAS:

Ideal para aplicaciones de bobina en enchufe y controlador en bobina

DPAK ofrece una huella más pequeña para un mayor espacio en la placa

Protección ESD del emisor de compuerta

Límites de abrazadera de voltaje del colector de compuerta con compensación de temperaturaEsfuerzo aplicado a la carga

Protección de diodo ESD integrada

Voltaje de umbral bajo para interfaces de cargas de potencia a dispositivos lógicos o de microprocesador

Bajo voltaje de saturación

Capacidad de alta corriente pulsada

Resistencia de puerta (RG) y resistencia de emisor de puerta (RGE) opcionales

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Voltaje de colector-emisor VCES 440V

Voltaje de colector-puerta VCER 440V

Voltaje de puerta-emisorVGE +/- 15V

Corriente de colector-Continua a TC = 25 °C - 20A DC

Corriente de colector-Continua a TC = 25 °C Pulsada IC 50A AC

Corriente de puerta continuaIG1.0mA

Corriente de puerta transitoria (t < 2 ms, f < 100 Hz) IG 20mA

ESD (modelo de dispositivo cargado)ESD2.0kV

ESD (Modelo de cuerpo humano)R = 1500 W, C = 100 pFESD8.0kV

ESD (Modelo de máquina) R = 0 W, C = 200 pF ESD 500V

Disipación de energía total TC = 25 °C PD125 W

Reducción por encima de 25°C 0.83W/°C

Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamientoTJ , Tstg -55 a +175°C

Encapsulado DPACK

Referencia de producto: NGD8201NG

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.