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2SC2073 TRANSISTOR NPN DE SILICIO EPITAXIAL
El transistor C2073 está diseñado para uso en aplicaciones de salida vertical, amplificador de potencia de uso general .
Voltaje del colector-emisor Vceo = 150V (Min)
Ganancia de corriente DC: hFE = 40-140
Ic = 500mA
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Descripción
2SC2073 TRANSISTOR NPN DE SILICIO EPITAXIAL
El transistor C2073 está diseñado para uso en aplicaciones de salida vertical, amplificador de potencia de uso general .
ESPECIFICACIONES TECNICAS:
Voltaje base colector VCBO 150 V
Voltaje del colector-emisor VCEO 150 V
Voltaje base emisor VEBO 5 V
Intensidad del colector IC 1.5 A
Disipación de colector PC 25 W
Temperatura de unión TJ 150 °C
Temperatura de almacenamiento TSTG -55 ~ + 150°C
CPNP 2SA940 complementari
Referencia de producto: 2SC2073 TRANSISTOR NPN
Detalles del producto
2SC2073 TRANSISTOR NPN
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