• Nuevo
  • BUK9Y40-55B
  • BUK9Y40-55B
  • BUK9Y40-55B
  • BUK9Y40-55B
BUK9Y40-55B
search
BUK9Y40-55B
search
BUK9Y40-55B
search
BUK9Y40-55B
search

BUK9Y40-55B TRANSISTOR MOSFET SMD CANAL N 55V 24A AUTOMOTRIZ

Transistor de efecto de campo (FET) canal N de nivel lógico en un encapsulado de plástico que utiliza tecnología TrenchMOS. Este producto ha sido diseñado para su uso en aplicaciones críticas para la industria automotriz.

dashboard_customize Packs descuento

10 unidades 2% descuento
25 unidades 6% descuento
50 unidades 12% descuento
$8.990 
Disponible para entrega inmediata Próximas 24horas hábiles
20 Artículos

Te quedan 450.000$ para el envío gratis

Descripción

BUK9Y40-55B TRANSISTOR MOSFET SMD CANAL N 55V 24A AUTOMOTRIZ

Transistor de efecto de campo (FET) canal N de nivel lógico en un encapsulado de plástico que utiliza tecnología TrenchMOS. Este producto ha sido diseñado para su uso en aplicaciones críticas para la industria automotriz.

.

CARACTERISTICAS:

Bajas pérdidas de conducción debido a la baja resistencia en estado encendido

Cumple con Q101

Adecuado para fuentes de control de compuerta de nivel lógico

Adecuado para entornos con exigencias térmicas gracias a su clasificación de 175 °C

.

Aplicaciones

Cargas de 12 V y 24 V

Sistemas automotrices

Conmutación de potencia de propósito general

Motores, lámparas y solenoides

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Número de tipo BUK9Y40-55B

Versión del paquete SOT669

Tipo de canal N

Número de transistores 1

V DS [máx.] (V) 55

R DSon [máx.] @ V GS = 10 V (mOhm) 36

R DSon [máx.] @ V GS = 5 V (mOhm) 40

R DSon [máx.] @ V GS = 4,5 V; @25 C (mOhm) 45

T j [máx.] (°C) 175

ID [ máx.] (A) 26

Q GD [típico] (nC) 5

P tot [máx] (W) 59

Q r [típico] (nC) 25

V GSth [típico] (V) 1.5

Automotriz calificado SÍ

C iss [típico] (pF) 765

Cos [ típico] (pF) 123

Referencia de producto: BUK9Y40-55B

Detalles del producto
BUK9Y40-55B
Nuevo