TRANSISTOR MMBT5551 BJT NPN 160V 600MA SOT-23 G1 SMD

El MMBT5551 es un transistor bipolar NPN de alta tensión para aplicaciones de amplificación y conmutación. Puede soportar hasta 160V entre colector y emisor y una corriente de colector continua de hasta 600mA. Su encapsulado SOT-23 facilita el montaje superficial en circuitos electrónicos compactos. Es especialmente útil en etapas de control, drivers, amplificadores y circuitos de conmutación.

Conmuta cargas de alto voltaje y amplifica señales de forma segura en circuitos compactos. Este transistor bipolar NPN MMBT5551 de montaje superficial (marcado como G1) está diseñado específicamente para aplicaciones que requieren una capacidad de manejo de hasta 160 V.

CARACTERISTICAS:

Transistor BJT NPN

Alta tension de operacion

Voltaje VCEO maximo: 160V

Corriente IC maxima: 600mA

Adecuado para amplificacion

Adecuado para conmutacion

Encapsulado SOT-23

Codigo de marcado: G1

Montaje SMD

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Polaridad del transistor: NPN BJT

Tensión colector-emisor (VCEO): 160 V máximo

Tensión colector-base (VCBO): 160 V máximo

Tensión emisor-base (VEBO): 5 V máximo

Corriente continua del colector (IC): 600 mA

Disipación de potencia (PD): 350 mW

Ganancia de corriente continua (hFE): 80 a 250 (típico)

Tipo de encapsulado: SOT-23 (montaje en superficie)

Código de marcado superior: G1

Referencia de producto: MMBT5551(G1)