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IRFHS8342 MOSFET SMD CANAL N 30V 19A QFN-6 IRH8342 8342
Transistor MOSFET canal N para aplicaciones de potencia StrongIRFET está optimizada para baja R DS(on) y alta capacidad de corriente, baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez.
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Descripción
IRFHS8342 MOSFET SMD CANAL N 30V 19A QFN-6 IRH8342 8342
La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET está optimizada para baja R DS(on) y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera integral aborda una amplia gama de aplicaciones que incluyen motores de CC, sistemas de administración de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.
CARACTERISTICAS:
Amplia disponibilidad de los socios de distribución
Nivel de calificación estándar de la industria
El pinout estándar permite el reemplazo directo
Alta densidad de potencia
Factor de forma compacto para aplicaciones de espacio crítico
ESPECIFICACIONES TECNICAS:
Categoria de producto: MOSFET
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Caja: PQFN-6
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente: 30 voltios
Id - Corriente de drenaje continua: 19A
Rds On - Resistencia drenaje-fuente: 25 mOhmios
Vgs - Voltaje de puerta-fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: 2,35 V
Qg - Carga de puerta: 4.2 nC
Temperatura mínima de funcionamiento: - 55C
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150C
Pd - Disipación de potencia: 2,1 vatios
Configuración: Soltero
Otoño: 5 ns
Transconductancia directa - Min: 18 S
Altura: 0,9mm
Longitud: 2mm
Ancho: 2mm
Hora de levantarse: 15 ns
Tiempo de retardo de apagado típico: 5,2 ns
Tiempo típico de retardo de encendido: 5,9 ns
Unidad de peso: 41.155 miligramos
Referencia de producto: IRFHS8342
ENLACES DE INTERES
Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.
Detalles del producto
IRFHS8342
Ficha técnica
- TRANSISTOR
- MOSFET N SMD
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