IRF740 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 400V/10A

Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar, conmutación de potencia de alta velocidad, convertidores, Suministro de energía ininterrumpida (UPS).

CARACTERISTICAS:

Material: metal-óxido-semiconductor

Polaridad: canal N

Encapsulado: TO 220

Conmutador de Potencia

Corriente de drenador Ic: 10 Ampere

Voltaje máximo drenador - fuente (Uds): 400 Voltios

Voltaje máximo fuente-puerta (Ugs): 20 Voltios

Temperatura máxima de la unión (Tj): °C: 150

Máxima disipación de potencia (Pd): 125 Watt

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Referencia de producto: IRF740

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.