10NB37 TRANSISTOR IGBT SMD 10A 410V GB10NB37LZ

Este transistor bipolar de puerta aislada de nivel lógico (IGBT) presenta un circuito monolítico que integra ESD y protección contra sobrevoltaje para uso en aplicaciones de controladores de bobina inductiva.

Los usos principales incluyen encendido, inyección directa de combustible o donde se requiera conmutación de alto voltaje y alta corriente

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

VCES Tensión colector-emisor (VGE = 0) VCES (fijado) V

VECS Tensión del colector del emisor (VGE = 0) 18 V

Corriente del colector IC (continua) a TC = 25 °C 20 A

Corriente del colector IC (continua) a TC = 100 °C 10 A

ICP Corriente de colector pulsada 40 A

ICL Corriente de enclavamiento de apagado 40 A

VGE Tensión puerta-emisor VGE (fijado) V

PTOT Disipación total a TC = 25 °C 125 W

Referencia de producto: 10NB37

ENLACES DE INTERES

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