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AON7401 TRANSISTOR MOSFET CANAL P SMD 30V 35A

Transistor mosfet canal P SMD de montaje superficial, para usar como reemplazo en tarjetas electrónicas

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Descripción

AON7401 TRANSISTOR MOSFET CANAL P SMD 30V 35A

Transistor mosfet canal P SMD de montaje superficial, para usar como reemplazo en tarjetas electrónicas

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Tipo FET Canal P

Tecnología MOSFET (óxido metálico)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) 30 voltios

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C 12A (Ta), 35A (Tc)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado) 6V, 10V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs 14 mOhmios a 9 A, 10 V

Vgs(th) (Máx.) @ Id. 3V @ 250uA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC a 10 V

Vgs (máx.) ±25V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF a 15 V

Función FET -

Disipación de energía (máx.) 3,1W (Ta), 29W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Montaje superficial

Paquete de dispositivo del proveedor 8-DFN-EP (3x3)

Referencia de producto: AON7401

Detalles del producto
AON7401

Ficha técnica

TRANSISTOR
MOSFET P SMD