TRANSISTOR MOSFET IRFP4232 300V 117A CANAL N TO-247

El IRFP4232PbF es un transistor MOSFET de potencia tipo N-channel. Optimizado para aplicaciones de energía en Plasma Display Panels (PDP), recuperación de energía (ER) y conmutación de alta velocidad. Soporta hasta 300V y 117A, con baja resistencia y capacidad de operación a altas temperaturas (hasta 175°C).

Su encapsulado TO-247AC lo hace ideal para montaje en disipadores. Posee alta capacidad de corriente de pico repetitiva, bajo para respuestas rápidas, y soporte para condiciones de avalancha repetitiva, asegurando eficiencia y confiabilidad en entornos exigentes.

CARACTERISTICAS:

RDS(on) típico de 30 mΩ @ V<sub>GS</sub> = 10V

Tensión de drenaje-fuente de hasta 300V

Corriente de drenaje continua: hasta 117A @ 100°C

Capacidad de pulso de corriente: 240A

Baja carga de compuerta (Q<sub>G</sub>) para respuesta rápida

Tiempos de conmutación rápidos (sub-100ns)

Temperatura de operación de unión hasta 175°C

Encapsulado TO-247AC con alta disipación térmica

Capacidad de avalancha repetitiva

Ideal para conmutación rápida y eficiencia energética

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Tipo: Transistor MOSFET canal N

Encapsulado: TO-247AC

Voltaje drenaje a fuente (Vds) maximo: 300V

Voltaje drenaje a fuente (Vds) minimo: 250V

Corriente continua de drenaje a 25C: 60 amperios

Corriente continua de drenaje a 100C: 42 amperios

Corriente de pico repetitiva: 117 amperios

Corriente de pulso maxima: 240 amperios

Resistencia Rds(on) tipica a Vgs 10V: 30 miliohmios

Disipacion de energia a 25C: 430W

Disipacion de energia a 100C: 210W

Voltaje compuerta a fuente continuo: 20V

Voltaje compuerta a fuente transitorio: 30V

Temperatura maxima de operacion de la union: 175C

Temperatura de operacion: hasta 175C

Referencia de producto: IRFP4232