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25N120 TRANSISTOR IGBT 1200V 25A

25N120 Transistor IGBT de gran potencia, empaque TO-247

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Descripción

25N120 TRANSISTOR IGBT 1200V 25A

25N120 Transistor IGBT de gran potencia, empaque TO-247

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Categoría de producto:Transistores IGBT

Paquete / Cubierta:TO-247-3

Estilo de montaje:Through Hole

Configuración:Single

Máx. voltaje VCEO colector-emisor:1200 V

Máximo voltaje puerta-emisor:20 V

Temperatura de trabajo mínima:- 55 C

Temperatura de trabajo máxima:+ 150 C

Máx. corriente continua Ic del colector:46 A

Altura:20.95 mm

Longitud:15.9 mm

Ancho:5.3 mm

Peso de la unidad:38 g

Referencia de producto: 25N120 TO247

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.

Detalles del producto
25N120 TO247

Ficha técnica

TRANSISTOR
IGBT
Nuevo