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TIP32C TRANSISTOR PNP
Voltaje de saturación colector-emisor
- V CE (sat) = 1.2 V CC (máximo) @ I C = 3.0 Adc
Voltaje de sostenimiento colector-emisor
-V CEO (sus) = 60 Vdc (min) - TIP31A, TIP32A
= 80 Vdc (min) - TIP31B, TIP32B
= 100 Vdc (min) - TIP31C, TIP32C
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Descripción
TIP32C TRANSISTOR PNP
El transistor de potencia bipolar está diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación y conmutación de uso general. El TIP31, TIP31A, TIP31B, TIP31C, (NPN); y TIP32, TIP32A, TIP32B, TIP32C, (PNP) son dispositivos complementarios
CARACTERISTICAS:
Voltaje de saturación colector-emisor
- V CE (sat) = 1.2 V CC (máximo) @ I C = 3.0 Adc
Voltaje de sostenimiento colector-emisor
-V CEO (sus) = 60 Vdc (min) - TIP31A, TIP32A
= 80 Vdc (min) - TIP31B, TIP32B
= 100 Vdc (min) - TIP31C, TIP32C
Ancho de banda de gran ganancia Producto
f T = 3.0 MHz (min) @ I C = 500 mAdc
Paquete compacto TO-220 AB
Paquetes sin plomo están disponibles
ESPECIFICACIONES TECNICAS:
Referencia de producto: TIP32C
Detalles del producto
TIP32C
Nuevo
