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50N06 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 60V 50A

Disipación total del dispositivo (Pd): 130 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V Corriente continua de drenaje (Id): 50 A Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

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Descripción

50N06 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 60V 50A

Transistor MOSFET canal N, Útil para amplificadores de potencia, control de motores, inversores, entre otras aplicaciones.

CARACTERISTICAS:

Disipación total del dispositivo (Pd): 130 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 23 nC

Tiempo de elevación (tr): 91 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 260 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.015 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

Referencia de producto: 50N06

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.

Detalles del producto
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