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50N06 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 60V 50A
Disipación total del dispositivo (Pd): 130 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 50 A Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
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Descripción
50N06 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 60V 50A
Transistor MOSFET canal N, Útil para amplificadores de potencia, control de motores, inversores, entre otras aplicaciones.
CARACTERISTICAS:
Disipación total del dispositivo (Pd): 130 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 50 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
ESPECIFICACIONES TECNICAS:
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V
Carga de compuerta (Qg): 23 nC
Tiempo de elevación (tr): 91 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 260 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.015 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220
Referencia de producto: 50N06
Detalles del producto
50N06
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