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BSS123 SA TRANSISTOR MOSFET CANAL N 100V 170MA SMD SOT23

Transistor MOSFET canal N de montaje superficial de encapsulado SOT23. Alto voltaje drenaje-fuente Vds 100V

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Descripción

BSS123 SA TRANSISTOR MOSFET CANAL N 100V 170MA SMD SOT23

Transistor MOSFET canal N de montaje superficial de encapsulado SOT23. Alto voltaje drenaje-fuente Vds 100V

 

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Tipo FET Canal N

Tecnología MOSFET (óxido de metal)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V

Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 170mA (Ta)

Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V

Rds On (máx) @ Id, Vgs 6Ohm a 170mA, 10V

Vgs(th) (máx) a Id 2V a 1mA

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 60 pF @ 25 V

Disipación de potencia (Máx.) 300mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Montaje en superficie

Paquete del dispositivo SOT-23-3

Referencia de producto: BSS123 SA

Detalles del producto
BSS123 SA

Ficha técnica

TRANSISTOR
MOSFET N SMD
Nuevo