BSS123 SA TRANSISTOR MOSFET CANAL N 100V 170MA SMD SOT23
Transistor MOSFET canal N de montaje superficial de encapsulado SOT23. Alto voltaje drenaje-fuente Vds 100V
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BSS123 SA TRANSISTOR MOSFET CANAL N 100V 170MA SMD SOT23
Transistor MOSFET canal N de montaje superficial de encapsulado SOT23. Alto voltaje drenaje-fuente Vds 100V
ESPECIFICACIONES TECNICAS:
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 170mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 6Ohm a 170mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 1mA
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 60 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.) 300mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo SOT-23-3
Referencia de producto: BSS123 SA
Ficha técnica
- TRANSISTOR
- MOSFET N SMD