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IRFP460 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 500V 20A
MOSFET canal N de 500Voltios y 20 Amperios. Este es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.
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Descripción
IRFP460 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 500V 20A
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRFP460PBF es un MOSFET de potencia de N-canal de 500V, el MOSFET de potencia de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia.
CARACTERISTICAS:
Valor dinámico dV / dt
Avalancha repetitiva
Fácil de paralelo
Requisito de unidad simple
Agujero de montaje central aislado
Aplicaciones: Administración de Potencia
ESPECIFICACIONES TECNICAS:
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-247-3
Número de canales: 1 Channel
Polaridad del transistor: N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 500 V
Id - Corriente de drenaje continua: 20 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 270 mOhms
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: 10 V
Qg - Carga de puerta: 210 nC
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Configuración: Single
Dp - Disipación de potencia : 280 W
Modo canal: Enhancement
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Transconductancia hacia delante - Mín.: 13 S
Tiempo de caída: 58 ns
Tiempo de subida: 59 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 500
Tiempo de retardo de apagado típico: 110 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 18 ns
Referencia de producto: MOSFET IRFP460
ENLACES DE INTERES
Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.
Detalles del producto
IRFP460
Ficha técnica
- TRANSISTOR
- MOSFET N
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