2N7002 TRANSISTOR MOSFET CANAL N

2N7002 es un transistor MOSFET con las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares, y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positiva inherente en los dispositivos MOS. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación en las que se desea un voltaje de umbral muy bajo, un voltaje de interrupción alto, una impedancia de entrada alta, una capacitancia de entrada baja y velocidades de conmutación rápidas.

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Categoria de producto: MOSFET

Estilo de montaje: SMD / SMT

Paquete / caja: SOT-23-3

Número de canales: 1 canal

Polaridad del transistor: N-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de la fuente de drenaje: 60 V

Id - Corriente de drenaje continuo: 120 mA

Rds On - Resistencia de drenaje-fuente: 1.2 ohmios

Vgs - Voltaje puerta-fuente: 20 V

Temperatura de funcionamiento mínima: - 55 C

Temperatura de funcionamiento máxima: + 150 C

Pd - Disipación de potencia: 200 mW

Modo de canal: Mejora

Altura: 1.2 mm

Longitud: 2.9 mm

Producto: Señal pequeña MOSFET

Serie: 2N7002

Tipo de transistor: 1 canal N

Anchura: 1.3 mm

Transconductancia hacia adelante - Min: 0.08 S

Tipo de producto: MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica: 3000

Subcategoría: MOSFET

Referencia de producto: 2N7002 SOT23

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.