2SC1972 TRANSISTOR PARA RF

2sc1972 es un transistor de tipo planar epitaxial NPN de silicio diseñado para amplificadores de potencia de RF en aplicaciones de radio móvil de banda VHF

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Descripción

2SC1972 TRANSISTOR PARA RF

2sc1972 es un transistor de tipo planar epitaxial NPN de silicio diseñado para amplificadores de potencia de RF en aplicaciones de radio móvil de banda VHF

CARACTERISTICAS:

VCBO Collector-Base Voltage 35 V

Voltaje colector-emisor VCEO RBE = 8 17 V

Voltaje emisor-base VEBO 4 V

Corriente IC Collector 2 A

Disipación de energía del colector de PC @ TC = 25 ? 25W

Disipación de potencia del colector @ Ta = 25 ? 1.5W

Temperatura de unión Tj 175 ?

Rango de temperatura de almacenamiento Tstg -55 ~ 150 ?

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Referencia de producto: 2SC1972

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