RD06HVF1 TRANSISTOR PARA RF

RD06HVF1 es un transistor tipo MOS FET específicamente diseñado para aplicaciones de amplificadores de potencia VHF RF.

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Descripción

RD06HVF1 TRANSISTOR PARA RF

RD06HVF1 es un transistor tipo MOS FET específicamente diseñado para aplicaciones de amplificadores de potencia VHF RF. Aplicacionea para etapa de salida de amplificadores de alta potencia en equipos de radio móvil de banda VHF. Si necesita más especificaciones técnicas, descargue la hoja de datos para más detalles.

CARACTERISTICAS:

VDSS Drain-source voltage Vgs=0V 50 V

VGSS Gate-source voltage Vds=0V +/- 20 V

Pch Channel dissipation Tc=25°C 27.8 W

Pin Input power Zg=Zl=50? 0.6 W

ID Drain current - 3 A

Tch Channel temperature - 150 °C

Tstg Storage temperature - -40 to +150 °C

Rth j-c Thermal resistance junction to case 4.5 °C/W

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Referencia de producto: RD06HVF1

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