TRANSISTOR 2SC4767 NPN EPITAXIAL 36V/0,5A 1W TRANSMISORES -14
Transistor 2SC4767 NPN de silicio epitaxial Para amplificación de potencia de alta frecuencia obtiene una salida de 0.6W en la banda VHF (f = 175MHz).Colector de parámetros para bas
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TRANSISTOR 2SC4767 NPN EPITAXIAL 36V/0,5A 1W TRANSMISORES
Transistor 2SC4767 NPN de silicio epitaxial Para amplificación de potencia de alta frecuencia obtiene una salida de 0.6W en la banda VHF (f = 175MHz).Colector de parámetros para bas
ESPECIFICACIONES TECNICAS:
Disipación total del dispositivo max (Pc): 1W
Tensión colector-base (Vcb): 36 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0,5A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
Encapsulado: TO39
Ficha técnica
- TRANSISTOR
- TRANSISTOR RF