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TRANSISTOR 2SC4767 NPN EPITAXIAL 36V/0,5A 1W TRANSMISORES -14

Transistor 2SC4767 NPN de silicio epitaxial Para amplificación de potencia de alta frecuencia obtiene una salida de 0.6W en la banda VHF (f = 175MHz).Colector de parámetros para bas

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Descripción

TRANSISTOR 2SC4767 NPN EPITAXIAL 36V/0,5A 1W TRANSMISORES

Transistor 2SC4767 NPN de silicio epitaxial Para amplificación de potencia de alta frecuencia obtiene una salida de 0.6W en la banda VHF (f = 175MHz).Colector de parámetros para bas

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Disipación total del dispositivo max (Pc): 1W

Tensión colector-base (Vcb): 36 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0,5A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

Encapsulado: TO39

Detalles del producto
NPN C4767

Ficha técnica

TRANSISTOR
TRANSISTOR RF
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