2SC1971 TRANSISTOR PARA RF

2sc1971 es un transistor de tipo planar epitaxial NPN de silicio diseñado para amplificadores de potencia de RF en aplicaciones de radio móvil de banda VHF

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Descripción

2SC1971 TRANSISTOR PARA RF

2sc1971 es un transistor de tipo planar epitaxial NPN de silicio diseñado para amplificadores de potencia de RF en aplicaciones de radio móvil de banda VHF

CARACTERISTICAS:

VCBO Collector-Base Voltage 35 V

Voltaje colector-emisor VCEO RBE = 8 17 V

Voltaje emisor-base VEBO 4 V

Corriente IC Collector 2 A

Disipación de energía del colector de PC @ TC = 25 ? 12.5W

Disipación de potencia del colector @ Ta = 25 ? 1.5W

Tj Junction Temperature 150 ?

Rango de temperatura de almacenamiento Tstg -55 ~ 150 ?

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Referencia de producto: 2SC1971

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