MOSFET FQD50N06 60V 50A TO-252 SMD CANAL N POTENCIA

Este componente es un transistor de efecto de campo de canal N disenado para ofrecer un rendimiento superior en aplicaciones de conmutacion de baja tension. Gracias a su tecnologia planar avanzada, minimiza la resistencia en estado activo, permitiendo una gestion termica excepcional incluso en condiciones de alta exigencia. Es la solucion perfecta para tecnicos y disenadores que buscan confiabilidad en sistemas criticos como convertidores DC a DC y gestion de energia en dispositivos portatiles. Su robustez lo hace destacar en el mercado de repuestos para audio vehicular, donde la estabilidad bajo pulsos de alta energia es fundamental para mantener la calidad del sonido y la integridad del circuito.

CARACTERISTICAS:

- Tecnologia DMOS de franja planar avanzada

- Alta capacidad de corriente en un formato compacto

- Resistencia de encendido extremadamente baja

- Conmutacion ultra rapida para fuentes eficientes

- Prueba de avalancha al 100 por ciento realizada

- Capacidad mejorada de dv/dt para mayor estabilidad

- Clasificacion de temperatura de union de hasta 175 grados C

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

- Tension Drenaje Fuente maxima 60V

- Corriente de Drenaje continua 50A a 25 grados C

- Corriente de Drenaje pulsada 200A

- Resistencia RDS on tipica 0.022 ohmios a 10V

- Tension Puerta Fuente +/- 25V

- Encapsulado tipo SMD TO-252 DPAK

- Disipacion de potencia maxima 120W

- Carga de puerta tipica 31 nC

- Capacitancia de transferencia inversa 65 pF

Referencia de producto: FQD50N06

ENLACES DE INTERES

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