TRANSISTOR MOSFET SI2307 SMD CANAL P 30V 3A A7SHB SOT-23

El transistor SI2307 A7SHB es un MOSFET de canal P en encapsulado SOT-23, diseñado para ofrecer alta eficiencia, baja resistencia de conducción y excelente rendimiento en aplicaciones de conmutación. Gracias a su avanzada tecnología este dispositivo es ideal para fuentes conmutadas, interruptores de carga, convertidores DC-DC y sistemas PWM en equipos portátiles y dispositivos electrónicos modernos.

Con una tensión de drenaje-fuente de hasta -30V y una corriente de drenaje de -3A, el SI2307 es capaz de manejar cargas exigentes con bajo consumo y mínima pérdida de energía. Su baja resistencia RDS(on) garantiza una alta eficiencia energética, mientras que su diseño compacto facilita la integración en diseños de alta densidad.

Es perfecto para desarrolladores y técnicos que buscan confiabilidad, rendimiento térmico y una solución eficiente en espacio reducido.

CARACTERISTICAS:

Encapsulado SOT-23 de montaje superficial

Ideal para fuentes conmutadas, PWM y control de carga

Alta eficiencia de conmutación

Diseño compacto y confiable

Rápidos tiempos de encendido y apagado

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Tipo: MOSFET canal P

Modelo: SI2307 (A7SHB)

Encapsulado: SOT-23

Voltaje drenaje-fuente (Vds): -30V

Corriente continua de drenaje (Id): -3A

Corriente en pulso: -12A

Voltaje puerta-fuente (Vgs): ±20V

RDS(on): 0.080 Ohm (típico)

Tensión umbral Vgs(th): -1V

Carga de compuerta (Qg): 9.35 nC

Disipación de potencia (Pd): 1.25W

Temperatura operativa: -55°C a +150°C

Tiempo de subida: 2.33 ns

Tiempo de bajada: 3.87 ns

Retardo de encendido: 10.8 ns

Retardo de apagado: 22.53 ns

Peso: 8 mg

Referencia de producto: SI2307 A7SHB

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.