TRANSISTOR MOSFET SI2306 SMD CANAL N 30V 3.6A A6SHB SOT-23

El transistor SI2306 A6SHB es un MOSFET de canal N de alta eficiencia diseñado para aplicaciones exigentes en electrónica portátil, fuentes de poder conmutadas, interruptores de carga y sistemas PWM.

este componente ofrece una conmutación rápida, confiable y eficiente, destacándose por su baja resistencia en estado encendido. Su encapsulado compacto SOT-23 permite un fácil montaje superficial (SMD), optimizando espacio en PCB y mejorando la disipación térmica.

Este transistor es una excelente opción para diseñadores que buscan un rendimiento eléctrico estable, alta corriente de salida y bajo consumo. Su diseño robusto permite operar a temperaturas extremas y manejar pulsos de alta intensidad sin comprometer la estabilidad del sistema.

CARACTERISTICAS:

Canal N, ideal para controladores y fuentes de poder

Bajo Rds(on): solo 0.057 Ohm

Capacidad de corriente continua: 3.5A

Voltaje drenador-fuente (Vds): hasta 30V

Voltaje puerta-fuente (Vgs): ±20V

Conmutación rápida y eficiente

Carga de compuerta baja: 4.2nC

Montaje superficial en encapsulado SOT-23

Disipación máxima de potencia: 1.25W

Temperatura operativa: -55°C a 150°C

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Modelo: SI2306 A6SHB

Tipo: MOSFET Canal N

Encapsulado: SOT-23 (montaje SMD)

Vds (máx): 30V

Id (corriente continua máx): 3.5A

Id (pico): hasta 16A

Vgs (máx): ±20V

Rds(on): 0.057 Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs(th): 3V a 250µA

Ciss: 305pF

Coss: 120pF

Qg: 4.2nC

Tiempo de subida: 7.5nS

Disipación de potencia (Pd): 1.25W

Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C

Tipo de montaje: Superficial (SMD)

Referencia de producto: SI2306 A6SHB

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.