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MPF102 TRANSISTOR RF JFET CANAL N
Tensión drenaje fuente (VDS): 25V
Corriente de puerta en directo (IG): 10mA
Potencia de disipación (PD): 350mW
Rango de temperatura (Tstg): -65 a +150ºC
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Descripción
MPF102 TRANSISTOR RF JFET CANAL N
MPF102 es un transistor de efecto de campo (JFET) canal N, desarrollado por la firma de componentes electrónicos Fairchild Semiconductor. Utilizado en aplicaciones generales como la amplificación de señales de audio de baja potencia, así como en la amplificación de señales de RF, además de ser utilizado en instrumentación debido a la alta resistencia de entrada. Un equivalente de este componente y la vez muy utilizado es el BF245
El MPF102 JFET es un popular JFET de canal N que se usa comúnmente en circuitos amplificadores de baja potencia
ESPECIFICACIONES TECNICAS:
Transistor de efecto de campo de unión de canal N de uso general
El voltaje de la fuente de drenaje (VDS) es de 25 V
Máxima corriente de drenaje: 20mA
El voltaje de la puerta de drenaje (VDG) es de 25V
El voltaje de la fuente de puerta (VGS) es -7.5V
La corriente de puerta (IG) es de 10 mA
Disponible en paquete To-92
Referencia de producto: MPF102
Detalles del producto
MPF102
Nuevo
