RD35HUP2 TRANSISTOR RF 35W REEMPLAZO DE RD30HVF1 FM 12V

El RD35HUP2 de Mitsubishi Electric US, Inc. es un transistor RF con frecuencia de 175 a 530 MHz, potencia 45,44 dBm, potencia (W) 34,99 W, tensión de alimentación 12,5 V, potencia de entrada 3 W

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Tipo de transistor MOSFET

Tecnología Si

Industria de aplicaciones Infraestructura inalámbrica

Solicitud Móvil, Radio, HF/VHF/UHF

CW/Pulso CW

Frecuencia 175 a 530 MHz

Energía 45,44dBm

Potencia (W) 34,99 vatios

Voltaje de suministro 12,5 V

Voltaje de umbral 1,6 a 2,4 V

Potencia de entrada 3 W.

Eficiencia de drenaje 0.55

Corriente de polarización de drenaje 0,15 mA

Corriente de drenaje en reposo 500mA

Tipo de paquete Brida

RoHS Sí

Temperatura de almacenamiento -40 a 175 grados C

Referencia de producto: RD35HUP2

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.