TIP142 TRANSISTOR NPN
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TIP142 TRANSISTOR NPN

Configuración monolítica de Darlington Diodo colector-emisor antiparalelo integrado Collector - Emitter Voltage VCEO 60 80 100 Vdc Collector - Base Voltage VCB 60 80 100 Vdc Emitter - Base Voltage VEB 5.0 Vdc Colector de corriente IC 10 Adc

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Descripción

TIP142 TRANSISTOR NPN

Transistor Darlington NPN de Potencia, diodo antiparalelo colector-emisor integrado. Vcb 100V, Vce 100V, Veb 5V, Ic 10A, Pc 125W.

Los dispositivos están fabricados en tecnología planar con diseño de "isla base" y configuración monolítica de Darlington. Los transistores resultantes muestran un rendimiento de ganancia excepcional junto con un voltaje de saturación muy bajo.

Diseñado para amplificadores de uso general y aplicaciones de conmutación de baja frecuencia.

CARACTERISTICAS:

Configuración monolítica de Darlington

Diodo colector-emisor antiparalelo integrado

Collector - Emitter Voltage VCEO 60 80 100 Vdc

Collector - Base Voltage VCB 60 80 100 Vdc

Emitter - Base Voltage VEB 5.0 Vdc

Colector de corriente IC 10 Adc

Corriente de base - Continuo IB 0.5 Adc

Disipación de potencia total @ TC = 25C PD 125 W

Operación y almacenamiento

Rango de temperatura de unión

TJ, Tstg -65 a +150 C

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Referencia de producto: TIP142

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.

Detalles del producto
TIP142
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