TIP142 TRANSISTOR NPN
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TIP142 TRANSISTOR NPN
Transistor Darlington NPN de Potencia, diodo antiparalelo colector-emisor integrado. Vcb 100V, Vce 100V, Veb 5V, Ic 10A, Pc 125W.
Los dispositivos están fabricados en tecnología planar con diseño de "isla base" y configuración monolítica de Darlington. Los transistores resultantes muestran un rendimiento de ganancia excepcional junto con un voltaje de saturación muy bajo.
Diseñado para amplificadores de uso general y aplicaciones de conmutación de baja frecuencia.
CARACTERISTICAS:
Configuración monolítica de Darlington
Diodo colector-emisor antiparalelo integrado
Collector - Emitter Voltage VCEO 60 80 100 Vdc
Collector - Base Voltage VCB 60 80 100 Vdc
Emitter - Base Voltage VEB 5.0 Vdc
Colector de corriente IC 10 Adc
Corriente de base - Continuo IB 0.5 Adc
Disipación de potencia total @ TC = 25C PD 125 W
Operación y almacenamiento
Rango de temperatura de unión
TJ, Tstg -65 a +150 C
ESPECIFICACIONES TECNICAS:
Referencia de producto: TIP142