13003 TRANSISTOR NPN

Estos dispositivos están diseñados para circuitos inductivos de conmutación de potencia de alta velocidad y alta velocidad, donde el tiempo de caída es crítico. Son especialmente adecuados para aplicaciones de 115 y 220 V en modo de conmutación.

CARACTERISTICAS:

Voltaje Colector-Emisor VCEO (SUS) 400 V

Voltaje de la base del colector VCBO 700 V

Voltaje Colector-Emisor (VBE = 0) VCES 700 V

Voltaje base del emisor VEBO 9 V

Corriente de colector IC continuo 1.5 A Pico (1) ICM 3

Corriente de base continua IB 0.75 A Peak (1) IBM 1.5

Emisor Corriente Continua IE 2.25 A Pico (1) IEM 4.5

Disipación de potencia (TA = 25 ° C) 1.1 W (TC = 25 ° C) 1.5 W

Temperatura de unión TJ +150 ° C

Temperatura de almacenamiento TSTG -55 ~ +150 ° C

Encapsulado TO-92

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.