28C64 MEMORIA EEPROM PARALELA 64K

El 28C64 es una memoria de solo lectura, programable y borrable eléctricamente de alto rendimiento (EEPROM). Sus 64K de memoria están organizados en 8.192 palabras por 8 bits. Fabricado con avanzada tecnología CMOS no volátil, El dispositivo ofrece tiempos de acceso a 150 ns con una disipación de potencia de solo 220 mW. Cuando el dispositivo está deseleccionado, la corriente de espera de CMOS es inferior a 100 µA

Al 28C64 se accede como una RAM estática para el ciclo de lectura o escritura sin la necesidad de componentes externos. El dispositivo contiene un registro de página de 64 bytes para permitir la escritura de hasta 64 bytes simultáneamente. Durante un ciclo de escritura, las direcciones y 1 a 64 bytes de datos se retienen internamente, liberando la dirección y el bus de datos para otras operaciones. Tras el inicio de un ciclo de escritura, el dispositivo escribirá automáticamente los datos bloqueados utilizando un temporizador de control interno. El final de un ciclo de escritura puede detectarse mediante la POLUCIÓN DE DATOS de I / O7. Una vez que se ha detectado el final de un ciclo de escritura, puede comenzar un nuevo acceso para lectura o escritura.

CARACTERISTICAS:

Tiempo de acceso de lectura rápida: 150 ns

Operación de escritura de página automática

Dirección interna y cierres de datos para 64 bytes

Tiempos rápidos de ciclo de escritura

Tiempo de ciclo de escritura de página: 10 ms máximo (estándar) 2 ms máximo (opción)

Operación de escritura de página de 1 a 64 bytes

Disipación de baja potencia

Corriente activa de 40 mA

Corriente de espera CMOS de 100 µA

Protección de datos de hardware y software

DATA Polling y Bit de alternancia para fin de la detección de escritura

Tecnología CMOS de alta confiabilidad

Resistencia: 100,000 ciclos

Retención de datos: 10 años

Suministro único de 5V ± 10%

Entradas y salidas compatibles con CMOS y TTL

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.