IRFB4110 TRANSISTOR MOSFET 100V/180A   TO220
  • IRFB4110 TRANSISTOR MOSFET 100V/180A   TO220
  • IRFB4110 TRANSISTOR MOSFET 100V/180A   TO220

IRFB4110 TRANSISTOR MOSFET 100V 180A TO220

$ 3.613
MOSFET HEXFET DE POTENCIA, CANAL N, VDSS = 100V, RDS(ON) = 3.7MO, ID = 180A. EMPAQUE TO-220.
Disponible para entrega inmediata
IRFB4110
75 Artículos

Descuentos por cantidad

Cantidad Denscuento Ahorras
10 6% $ 2.168
25 16% $ 14.450
50 32% $ 57.802

 

Compra 100% protegida. Reciba a satisfacción o reclame cambio del producto o devolución del dinero

 

La entrega de su compra está cubierta y se garantiza bajo nuestras políticas de envíos, al final de la página están todos los detalles

 

Su compra se ampara bajo las Políticas de devolución

IRFB4110 TRANSISTOR MOSFET 100V 180A TO220

MOSFET HEXFET DE POTENCIA, CANAL N, VDSS = 100V,

RDS(ON) = 3.7MO, ID = 180A.

EMPAQUE TO-220.

Aplicaciones

-Rectificación sincrónica de alta eficiencia en SMPS

-Fuente de poder ininterrumpible

-Conmutación de potencia de alta velocidad

-Circuitos conmutados y de alta frecuencia GD

Beneficios

- Compuerta mejorada, avalancha y resistencia dv / dt dinámica

- Capacidades y avalanchas totalmente caracterizadas SOA

- Capacidad de dV / dt y dI / dt de diodo corporal mejorada

- Sin plomo

- Cumple con RoHS, libre de halógenos

Referencia de producto: MOSFET IRFB4110

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Tipo: canal n

Voltaje de ruptura de drenaje a fuente: 100 V

Voltaje de puerta a fuente, máx .: ± 20 V

Resistencia en estado de drenaje-fuente, máx .: 4.500 ohmios

Corriente de drenaje continua: 180 A

Carga total de la puerta: 150 nC

Disipación de potencia: 370 W

Paquete: TO-220AB

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.

Referencias específicas

Nuevo producto