MPF102 TRANSISTOR RF JFET CANAL N

$ 2.399
Tensión drenaje fuente (VDS): 25V Corriente de puerta en directo (IG): 10mA Potencia de disipación (PD): 350mW Rango de temperatura (Tstg): -65 a +150ºC
Disponible para entrega inmediata
MPF102
100 Artículos

Descuentos por cantidad

Cantidad Denscuento Ahorras
10 2% Hasta $ 480
25 5% Hasta $ 2.999
50 10% Hasta $ 11.995

 

Compra 100% protegida. Reciba a satisfacción o reclame cambio del producto o devolución del dinero

 

La entrega de su compra está cubierta y se garantiza bajo nuestras políticas de envíos, al final de la página están todos los detalles

 

Su compra se ampara bajo las Políticas de devolución

MPF102 TRANSISTOR RF JFET CANAL N

MPF102 es un transistor de efecto de campo (JFET) canal N, desarrollado por la firma de componentes electrónicos Fairchild Semiconductor. Utilizado en aplicaciones generales como la amplificación de señales de audio de baja potencia, así como en la amplificación de señales de RF, además de ser utilizado en instrumentación debido a la alta resistencia de entrada. Un equivalente de este componente y la vez muy utilizado es el BF245

El MPF102 JFET es un popular JFET de canal N que se usa comúnmente en circuitos amplificadores de baja potencia

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Transistor de efecto de campo de unión de canal N de uso general

El voltaje de la fuente de drenaje (VDS) es de 25 V

Máxima corriente de drenaje: 20mA

El voltaje de la puerta de drenaje (VDG) es de 25V

El voltaje de la fuente de puerta (VGS) es -7.5V

La corriente de puerta (IG) es de 10 mA

Disponible en paquete To-92

Referencia de producto: MPF102

Referencias específicas

Nuevo producto