• MBQ60T65PES
  • MBQ60T65PES
MBQ60T65PES
search
MBQ60T65PES
search
search

MBQ60T65PES IGBT 60A 650V TO-247

Este IGBT se produce utilizando la tecnología de segunda generación Field Stop Trench IGBT de MagnaChip, que no solo es la más eficiente capaz de cambiar el comportamiento, sino también su alta robustez y excelente calidad para aplicaciones de inversores

dashboard_customize Packs descuento

5 unidades 3% descuento
10 unidades 6% descuento
25 unidades 15% descuento
$21.989 
Disponible para entrega inmediata Próximas 24horas hábiles
16 Artículos

Te quedan 450.000$ para el envío gratis

Descripción

MBQ60T65PES IGBT 60A 650V TO-247

Este IGBT se produce utilizando la tecnología de segunda generación Field Stop Trench IGBT de MagnaChip, que no solo es la más eficiente capaz de cambiar el comportamiento, sino también su alta robustez y excelente calidad para aplicaciones de inversores solares, UPS, IH, soldador y PFC donde baja las pérdidas de conducción son esenciales

 

CARACTERISTICAS:

Voltaje colector-emisor VCE 650 V

Conmutación de alta velocidad y baja pérdida de potencia

VCE (sat) = 1,85 V @ IC = 60A

Eoff = 0.53mJ @ TC = 25 ° C

Alta impedancia de entrada

Trr = 110ns (típ.) @ DiF / dt = 500A / µs

Temperatura máxima de unión 175 ° C

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Referencia de producto: MBQ60T65PES

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.

Detalles del producto
MBQ60T65PES

Ficha técnica

TRANSISTOR
IGBT
Nuevo